Polyanionic Hexagons: X6n– (X = Si, Ge)

نویسندگان

چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Polyanionic Hexagons: X6n- (X = Si, Ge)

The paper reviews the polyanionic hexagons of silicon and germanium, focusing on aromaticity. The chair-like structures of hexasilaand hexagermabenzene are similar to a nonaromatic cyclohexane (CH2)6 and dissimilar to aromatic D6h-symmetric benzene (CH)6, although silicon and germanium are in the same group of the periodic table as carbon. Recently, six-membered silicon and germanium rings with...

متن کامل

Diffusion in Si(x)Ge(1-x)/Si nanowire heterostructures.

Si0.48Ge0.52/Si tip/nanowire heterostructures were grown by pulsed laser vaporization (PLV) at a growth temperature of 1100 degrees C. Ge diffusion in [111]-growth Si nanowires was studied for different post-synthesis annealing temperatures from 200 degrees C to 800 degrees C. Ge composition profiles were quantified by energy-dispersive X-ray spectroscopy in a transmission electron microscope. ...

متن کامل

Composition controlled synthesis and Raman analysis of Ge-rich Si(x)Ge(1-x) nanowires.

Here, we report the synthesis of Si(x)Ge(1-x) nanowires with x values ranging from 0 to 0.5 using bulk nucleation and growth from larger Ga droplets. Room temperature Raman spectroscopy is shown to determine the composition of the as-synthesized Si(x)Ge(1-x) nanowires. Analysis of peak intensities observed for Ge (near 300 cm(-1)) and the Si-Ge alloy (near 400 cm(-1)) allowed accurate estimatio...

متن کامل

Comparison of the effect of Si and Ge presence on phase formation process, the structural and magnetic properties of Co2FeX (X=Ge,Si) Heusler compounds

In this study, the Co2FeX (X=Ge, Si) Heusler compounds with 30 valence electrons, which are made by using mechanical alloying and arc melting methods were studied. The crystallization of samples was confirmed by XRD data in both manufacturing methods. The results showed that the presence of Si than Ge in the compound played a more effective role to creation a large scale atomic ordering, and th...

متن کامل

پیوندهای هالوژنی در ملکولهای دارای si-x و ge-x (x=f, cl, br)

پیوندهای غیرکوالانسی مدلی از برهم کنش های درون ملکولی و بین ملکولی هستند که به دلیل نیروهای الکتروستاتیک و نیروهای لاندنی میان اتم های مختلف بوجود می آیند. پیوند هالوژنی به برهم کنش میان اتم هالوژن و گونه ی الکترون دهنده نسبت داده می شود. این واقعیت که هم اتم هالوژن و هم گونه ی الکترون دهنده دارای بار منفی هستند، برهم کنش های میان این دو بار منفی را چالش برانگیز کرده است. دو مفهوم "حفره ی سیگما...

15 صفحه اول

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Symmetry

سال: 2010

ISSN: 2073-8994

DOI: 10.3390/sym2041745